是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-254AA | 包装说明: | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A001.A.1.A | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.32 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | RADIATION HARDENED | 雪崩能效等级(Eas): | 36 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9 A |
最大漏极电流 (ID): | 9 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-XSFM-P3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 27 A | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | MIL-19500/605B | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
JANTXVH2N7380 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-257AA |
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JANTXVH2N7381 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-257AA |
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JANTXVH2N7394 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254AA |
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JANTXVH2N7481U3 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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JANTXVHN3G01 | TOSHIBA | TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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JANTXVIN6626US | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.55A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, |
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