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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.82 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN BIPOLAR TRANSISTOR |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 3 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| JANTXVIN6626US | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.55A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, |
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| JANTXVIN6627US | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.55A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, |
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| JANTXVIN6628US | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.55A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, |
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| JANTXVIN6629US | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.15A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, |
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| JANTXVIN6631US | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.15A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, |
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| JANTXVLL3595A | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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