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JANTXVH2N7270

更新时间： 2024-01-19 06:16:40
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其他 - ETC 晶体晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
25页 120K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254AA

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JANTXVH2N7270 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.1.AHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.1其他特性：RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.45 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/603E子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANTXVH2N7270 数据手册

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MIL-PRF-19500/603C  
4.2.1 Group E inspection. Group E inspection shall be conducted in accordance with MIL-PRF-19500 and table III herein.  
4.3 Screening (JANTXV and JANS levels only). Screening shall be in accordance with appendix E, table IV of MIL-PRF-19500 and  
as specified herein. The following measurements shall be made in accordance with table I herein. Devices that exceed the limits of table  
I herein shall not be acceptable.  
Screen (see appendix E,  
table IV of  
Measurement  
MIL-PRF-19500)  
JANS level  
Method 3470 (see 4.5.4)  
JANTXV levels  
Method 3470 (see 4.5.4)  
1/  
1/  
Method 3161 (see 4.5.3)  
Method 3161 (see 4.5.3)  
1/  
Gate stress test (see 4.5.5)  
Gate stress test (see 4.5.5)  
9 1/  
10  
11  
Subgroup 2 of table II herein. I  
, I  
GSS DSS1  
Subgroup 2 of table I herein  
MIL-STD-750, method 1042, test condition B  
MIL-STD-750, method 1042, test condition B  
I
, I  
, I  
, r  
, V  
I
, I  
, I  
, r  
, V  
GSSF1 GSSR1 DSS1 DS(on) GS(TH)  
GSSF1 GSSR1 DSS1 DS(on) GS(TH)  
Subgroup 2 of table I herein  
Subgroup 2 of table I herein  
∆I  
= ± 20 nA dc or ± 100 percent of  
initial value, whichever is greater.  
GSSF1  
∆I  
GSSR1  
= ± 20 nA dc or ± 100 percent of  
initial value, whichever is greater.  
∆I  
DSS1  
= ± 10 µA dc or ± 100 percent of  
initial value, whichever is greater.  
12  
13  
MIL-STD-750, method 1042, test condition A  
Subgroups 2 and 3 of table I herein  
MIL-STD-750, method 1042, test condition A  
Subgroups 2 and 3 of table I herein  
∆I  
= ± 20 nA dc or ± 100 percent of  
initial value, whichever is greater.  
∆I  
= ± 20 nA dc or ± 100 percent of  
initial value, whichever is greater.  
GSSF1  
GSSF1  
∆I  
GSSR1  
= ± 20 nA dc or ± 100 percent of  
∆I  
GSSR1  
= ± 20 nA dc or ± 100 percent of  
initial value, whichever is greater.  
initial value, whichever is greater.  
∆I  
= ± 10 µA dc or ± 100 percent of  
initial value, whichever is greater.  
∆I  
= ± 10 µA dc or ± 100 percent of  
initial value, whichever is greater.  
DSS1  
DSS1  
∆r  
DS(on)1  
=± 20 percent of initial value  
= ± 20 percent of initial value  
∆r  
DS(on)1  
=± 20 percent of initial value  
= ± 20 percent of initial value  
∆V  
∆V  
GS(th)1  
GS(th)1  
1/ Shall be performed anytime before screen 10.  
7
1...45678910...25

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