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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANTXV2N7222
JANTXV2N7222 PDF预览

JANTXV2N7222

更新时间： 2024-01-07 09:55:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 176K
描述
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

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JANTXV2N7222 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.17其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：700 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.95 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/596
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANTXV2N7222 数据手册

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IRFM440  
Electrical Characteristics @Tj = 25°C (Unless Otherwise Specified)  
Parameter  
Min Typ Max Units  
Test Conditions  
BV  
DSS  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
500  
—
—
—
—
V
V
= 0V, I = 1.0mA  
D
GS  
V/°C Reference to 25°C, I = 1.0mA  
∆BV  
/∆T Temperature Coefficient of Breakdown  
0.78  
DSS  
J
D
Voltage  
R
Static Drain-to-Source On-State  
Resistance  
Gate Threshold Voltage  
Forward Transconductance  
Zero Gate Voltage Drain Current  
—
—
2.0  
4.7  
—
—
—
—
—
—
—
0.85  
0.95  
4.0  
—
V
V
= 10V, I = 5.0A  
D
DS(on)  
GS  
GS  
➀
Ω
= 10V, I = 8.0A  
D
V
V
V
= V , I = 250µA  
GS(th)  
fs  
DS  
GS  
D
Ω
g
S ( )  
V
> 15V, I  
= 5.0A ➀  
DS  
V
DS  
I
25  
250  
= 400V ,V =0V  
DSS  
DS GS  
µA  
—
V
= 400V,  
DS  
= 0V, T = 125°C  
V
GS  
J
I
I
Gate-to-Source Leakage Forward  
Gate-to-Source Leakage Reverse  
Total Gate Charge  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8  
100  
-100  
68.5  
12.5  
42.4  
21  
V
= 20V  
= -20V  
GSS  
GSS  
GS  
nA  
nC  
V
GS  
Q
Q
Q
V
=10V, I = 8.0A  
GS D  
g
gs  
gd  
d(on)  
r
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain (‘Miller’) Charge  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
FallTime  
V
DS  
=250V  
t
t
t
t
V
DD  
V
GS  
= 250V, I = 8.0A,  
D
73  
72  
=10V, R = 9.1Ω  
G
ns  
d(off)  
f
51  
L
+ L  
Total Inductance  
—
Measured from drain lead (6mm/  
0.25in. from package) to source lead  
(6mm/0.25in. from package)  
S
D
nH  
C
C
C
Input Capacitance  
Output Capacitance  
—
—
—
1300  
310  
—
—
—
V
= 0V, V  
= 25V  
iss  
oss  
rss  
GS  
DS  
f = 1.0MHz  
pF  
Reverse Transfer Capacitance  
120  
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics  
Parameter  
Min Typ Max Units  
Test Conditions  
I
I
V
t
Continuous Source Current (Body Diode)  
Pulse Source Current (Body Diode) ➀  
Diode Forward Voltage  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.0  
32  
1.5  
700  
8.9  
S
A
SM  
V
T = 25°C, I = 8.0A, V  
= 0V ➀  
j
SD  
rr  
S
GS  
Reverse Recovery Time  
nS  
µC  
T = 25°C, I = 8.0A, di/dt ≤ 100A/µs  
j
F
Q
Reverse Recovery Charge  
V
DD  
≤ 50V ➀  
RR  
t
Forward Turn-On Time  
Intrinsic turn-on time is negligible. Turn-on speed is substantially controlled by L + L .  
S D  
on  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min Typ Max Units  
Test Conditions  
R
R
Junction-to-Case  
Case-to-Sink  
—
—
—
1.0  
—
thJC  
thCS  
0.21  
°C/W  
R
Junction-to-Ambient  
—
—
48  
Typical socket mount  
thJA  
Note: Corresponding Spice and Saber models are available on the G&S Website.  
For footnotes refer to the last page  
2
www.irf.com  
1234567

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JANTXV2N7222 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFM440 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
JANTX2N7228U INFINEON

类似代替

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IRFM450 INFINEON

类似代替

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JANTXV2N7222U INFINEON

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JANTXV2N7224 MICROSEMI

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 		N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/592
JANTXV2N72241N6036 MICROSEMI

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 		1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507
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