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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.17 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.95 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/596 |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| JANTXV2N7222U | INFINEON | 500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - A JANTXV2N7222U with Hermetic Pac |
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| JANTXV2N7224 | INFINEON | REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED |
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| JANTXV2N7224 | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/592 |
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| JANTXV2N72241N6036 | MICROSEMI | 1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507 |
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| JANTXV2N72241N6036A | MICROSEMI | 1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507 |
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| JANTXV2N72241N6036AE3 | MICROSEMI | 1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507 |
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