JANTX2N5685

更新时间： 2024-09-30 11:22:55

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N5685 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BFM
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	50 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-204AE
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/464
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2 MHz
Base Number Matches：	1

JANTX2N5685 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 464

Devices

Qualified Level

JAN

2N5685

2N5686

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N5685 2N5686 Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

5.0

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +100⁰C ⁽¹⁾

300

171

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-55 to +200

T_J_,T

stg

TO-3*

(TO-204AA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 1.715 W/⁰C between T_C= 25⁰C and T_C= 200⁰C

Symbol

Max.

.0584

Unit

⁰C/W

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

I_C= 100 mAdc

2N5685

2N5686

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 30 Vdc

V_CE= 40 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 80 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60 Vdc

500

mAdc

2N5685

2N5686

I_CEO

I_CEX

I_CBO

500

2N5685

2N5686

2.0

2N5685

2N5686

V_CB= 80 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JANTX2N5685 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5578	MICROSEMI	完全替代	Power Bipolar Transistor, 60A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
JANTXV2N5685	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5685	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER SILICON TRANSISTOR

与JANTX2N5685相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N5686	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5745	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-3
JANTX2N5793	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78,
JANTX2N5794	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78,
JANTX2N5794	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78,
JANTX2N5794U	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78,
JANTX2N5795	MICROSEMI	获取价格	PNP DUAL SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5795	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SIMILAR
JANTX2N5796	MICROSEMI	获取价格	PNP DUAL SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5796	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78,

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