5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BCY | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.1 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-205AD | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/357 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N3635L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
|
| JANTX2N3635UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
|
| JANTX2N3636 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
|
| JANTX2N3636 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
| JANTX2N3636 | ONSEMI |
获取价格 |
MIL-PRF-19500/357: 175 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-39 3-Lead, 100-BLKBX, Milita |
|
| JANTX2N3636L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
|
| JANTX2N3636UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
|
| JANTX2N3637 | ONSEMI |
获取价格 |
MIL-PRF-19500/357: 175 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-39 3-Lead, 100-BLKBX, Milita |
|
| JANTX2N3637 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
|
| JANTX2N3637 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
