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JANTX1N3612UR

更新时间: 2024-09-20 13:08:59
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美高森美 - MICROSEMI 二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon,

JANTX1N3612UR 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.82Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-XELF-R2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500/228
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

JANTX1N3612UR 数据手册

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