是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-4 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
Factory Lead Time: | 24 weeks | 风险等级: | 1.82 |
Is Samacsys: | N | 应用: | POWER |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-203AA | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 240 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最大输出电流: | 12 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500/260 |
最大重复峰值反向电压: | 800 V | 最大反向恢复时间: | 5 µs |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N3671 | DIOTEC |
功能相似 |
Silicon-Power Rectifiers | |
1N2240 | MICROSEMI |
功能相似 |
SILICON POWER RECTIFIER |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTX1N3671AR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P | |
JANTX1N3671RA | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
JANTX1N3672A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
JANTX1N3672RA | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
JANTX1N3673A | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier | |
JANTX1N3673A | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
JANTX1N3673A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
JANTX1N3766 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier | |
JANTX1N3766R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier | |
JANTX1N3768 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |