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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.32 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.25 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/279 |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N3647 | MICROSEMI |
完全替代  |
HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
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| 1N3647 | MICROSEMI |
完全替代 |
HIGH VOLTAGE RECTIFIERS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N3647SM | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| JANTX1N3657 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JANTX1N3657US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
|
| JANTX1N3666-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.07A, 80V V(RRM), Germanium, |
|
| JANTX1N3666-1X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium, |
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| JANTX1N3670A | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 700V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| JANTX1N3670RA | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 700V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| JANTX1N3671A | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| JANTX1N3671A | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| JANTX1N3671A | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
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