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JANSF2N7550U2

更新时间： 2024-11-21 14:53:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 1301K
描述
Rad hard, -100V, -47A, single, P-channel MOSFET, R5 in a SMD-2 package - SMD-2, 300 krad(Si) TID, QPL

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JANSF2N7550U2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：47 A
最大漏极电流 (ID)：47 A最大漏源导通电阻：0.049 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：188 A
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500; RH - 300K Rad(Si)
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANSF2N7550U2 数据手册

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PD-94493F  
IRHNA597160  
JANSR2N7550U2  
100V, P-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
REF: MIL-PRF-19500/713  
TECHNOLOGY  
R
5
Product Summary  
Part Number  
IRHNA597160  
IRHNA593160  
Radiation Level  
100 kRads(Si)  
300 kRads(Si)  
RDS(on)  
0.049  
0.049  
ID  
-47A JANSR2N7550U2  
-47A JANSF2N7550U2  
QPL Part Number  
SMD-2  
Description  
Features  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
IR HiRel R5 technology provides high performance power  
MOSFETs for space applications. These devices have  
been characterized for Single Event Effects (SEE) with  
useful performance up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)).  
The combination of low RDS(on) and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications such as  
DC to DC converters and motor control. These devices  
retain all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching and temperature  
stability of electrical parameters.  
Ceramic Package  
Light Weight  
ESD Rating: Class 3A per MIL-STD-750,  
Method 1020  
.
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Symbol  
Value  
Parameter  
Units  
ID1 @ VGS = -12V, TC = 25°C  
ID2 @ VGS = -12V, TC = 100°C  
IDM @ TC = 25°C  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current   
Maximum Power Dissipation  
-47  
A
-30  
-188  
250  
2.0  
W
W/°C  
V
PD @TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy   
Avalanche Current   
VGS  
EAS  
IAR  
± 20  
400  
-47  
mJ  
A
mJ  
EAR  
dv/dt  
TJ  
25  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
V/ns  
-10  
-55 to + 150  
TSTG  
°C  
g
300 (for 5sec)  
3.3 (Typical)  
Weight  
For Footnotes, refer to the page 2.  
1
2020-11-09  
International Rectifier HiRel Products, Inc.  
12345678

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与JANSF2N7550U2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSF2N7579U2 INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 56A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-2 package - SMD-2, 300 krad(Si)
JANSF2N7579U2A INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 56A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SupIR-SMD package - SupIR-SMD, 300
JANSF2N7580T1 INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 45A, single, N-channel MOSFET, R6 in a TO-254AA Low Ohmic package - TO-254
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 		Rad hard, 200V, 56A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SupIR-SMD package - SupIR-SMD, 300
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 		Rad hard, 100V, 22A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 300 krad
JANSF2N7587U3C INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 22A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 300 krad
JANSF2N7589U3 INFINEON

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 		Rad hard, 150V, 19A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 300 krad

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