5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.49 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 225 | JESD-30 代码： | R-XDSO-N4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/376 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N2484UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMET |
|
| JANS2N2857 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 40MA I(C) | TO-72 |
|
| JANS2N2857UB | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 40MA I(C) | LLCC |
|
| JANS2N2880 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AA |
|
| JANS2N2904 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
|
| JANS2N2904A | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
|
| JANS2N2904AL | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
|
| JANS2N2905 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
|
| JANS2N2905A | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
|
| JANS2N2905A/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
