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JANS2N2905A/TR

更新时间： 2024-09-13 19:00:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN

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JANS2N2905A/TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-205AD
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP参考标准：MIL-19500/290
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：45 nsBase Number Matches：1

JANS2N2905A/TR 数据手册

 浏览型号JANS2N2905A/TR的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 290  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
2N2904  
2N2904A  
2N2904AL  
2N2905  
2N2905A  
2N2905AL  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
MAXIMUM RATINGS  
2N2904 2N2904A, L  
Symbol 2N2905 2N2905A, L Unit  
Ratings  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
60  
Vdc  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
60  
5.0  
600  
Vdc  
TO-39* (TO-205AD)  
2N2904, 2N2904A  
2N2905, 2N2905A  
Vdc  
mAdc  
Total Power Dissipation @ TA = +250C (1)  
0.6  
3.0  
W
W
0C  
PT  
@ TC = +250C (2)  
Operating & Storage Junction Temp. Range  
-65 to +200  
TJ, T  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/mW  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
0.29  
R
qJC  
TO-5*  
2N2904AL, 2N2905AL  
1) Derate linearly 3.43 W/0C for TA > +250C  
2) Derate linearly 17.2 W/0C for TC > +250C  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Vdc  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10 mAdc  
2N2904, 2N2905  
V(BR)  
40  
60  
CEO  
2N2904A, L, 2N2905A, L  
Collector-Emitter Cutoff Voltage  
VCE = 40 Vdc  
VCE = 60 Vdc  
ICES  
2N2904, 2N2905  
2N2904A, L, 2N2905A, L  
mAdc  
1.0  
1.0  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 50 Vdc  
2N2904, 2N2905  
2N2904A, L, 2N2905A, L  
All Types  
20  
10  
10  
hAdc  
mAdc  
ICBO  
VCB = 60 Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 3.5 Vdc  
VEB = 5.0 Vdc  
hAdc  
mAdc  
IEBO  
50  
10  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
120101  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
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12

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与JANS2N2905A/TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS2N2905AL MICROSEMI

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 		PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANS2N2905AL/TR MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
JANS2N2906A MICROSEMI

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 		PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
JANS2N2906AL MICROSEMI

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 		PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
JANS2N2906AUA MICROSEMI

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 		PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
JANS2N2906AUB MICROSEMI

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 		PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
JANS2N2906AUBC MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
JANS2N2907A MICROSEMI

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 		PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
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