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JANS2N2906AUBC

更新时间： 2024-09-13 20:04:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 99K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-4

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JANS2N2906AUBC 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.49最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-CDSO-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/291
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：45 ns
Base Number Matches：1

JANS2N2906AUBC 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/291  
DEVICES  
LEVELS  
2N2906A  
2N2906AL  
2N2906AUA  
2N2906AUB  
2N2906AUBC *  
2N2907A  
2N2907AL  
2N2907AUA  
2N2907AUB  
2N2907AUBC *  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
* Available to JANS quality level only.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
W
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
5.0  
Collector Current  
600  
Total Power Dissipation @ TA = +25°C  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
PT  
0.5  
TO-18 (TO-206AA)  
2N2906A, 2N2907A  
Top, Tstg  
-65 to +200  
°C  
Note: Consult 19500/291 for Thermal Performance Curves.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10mAdc  
4 PIN  
V(BR)CEO  
60  
Vdc  
2N2906AUA, 2N2907AUA  
Collector-Base Cutoff Current  
V
CB = 60Vdc  
ICBO  
10  
10  
μAdc  
ηAdc  
VCB = 50Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
V
EB = 4.0Vdc  
IEBO  
50  
10  
ηAdc  
μAdc  
VEB = 5.0Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 50Vdc  
ICES  
50  
ηAdc  
3 PIN  
2N2906AUB, 2N2907AUB  
2N2906AUBC, 2N2907AUBC  
(UBC = Ceramic Lid Version)  
T4-LDS-0059 Rev. 2 (100247)  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
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 		PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
JANS2N2907AUB STMICROELECTRONICS

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 		Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor
JANS2N2907AUB/TR MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
JANS2N2907AUBC MICROSEMI

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 		暂无描述
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