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JANS2N2484UB PDF预览

JANS2N2484UB

更新时间： 2024-11-28 21:08:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 331K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3

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JANS2N2484UB 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.24Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：225
JESD-30 代码：R-CDSO-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.36 W认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/376子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANS2N2484UB 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/376  
DEVICES  
LEVELS  
2N2484  
2N2484UA  
2N2484UB  
2N2484UBC *  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
* Available to JANS quality level only.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
Vdc  
6.0  
50  
Vdc  
Collector Current  
mAdc  
(1)  
Total Power Dissipation @ TA = +25°C  
PT  
360  
mW  
°C  
TO-18 (TO-206AA)  
2N2484  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
TJ, Tstg  
-65 to +200  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Ambient-to-Case  
2N2484  
2N2484UA  
2N2484UB, UBC  
325  
275  
350  
°C/W  
RθJA  
1. See 19500/376 for Thermal Performance Curves.  
2N2484UA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10mAdc  
V(BR)CEO  
ICES  
60  
Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
5.0  
ηAdc  
V
CE = 45Vdc  
Collector-Base Cutoff Current  
5.0  
10  
ηAdc  
μAdc  
2N2484UB, UBC  
(UBC = Ceramic Lid Version)  
V
V
CB = 45Vdc  
CB = 60Vdc  
ICBO  
Collector-Emitter Cutoff Current  
CE = 5.0Vdc  
V
ICEO  
2.0  
ηAdc  
T4-LDS-0058 Rev. 2 (110016)  
Page 1 of 6  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS2N2857 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 40MA I(C) | TO-72
JANS2N2857UB ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AA
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JANS2N2905A/TR MICROSEMI

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JANS2N2905AL MICROSEMI

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 		PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

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