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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3 |
| 包装说明： | TO-3, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 集电极-发射极最大电压： | 90 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/488C | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N5671 | MICROSEMI |
完全替代  |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| BD437S | ONSEMI |
功能相似 |
Medium Power NPN Bipolar Power Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N5672 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5683 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5684 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5685 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5686 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5745 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N5794 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-78 |
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| JAN2N5794U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | LLCC |
|
| JAN2N5795 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DUAL SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5796 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DUAL SILICON TRANSISTOR |
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