JAN2N5683

更新时间： 2024-11-28 22:51:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	59K
描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JAN2N5683 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	50 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/466B
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2 MHz	Base Number Matches：	1

JAN2N5683 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 466

Devices

Qualified Level

JAN

2N5683

2N5684

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N5683 2N5684 Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Collector Current

Total Power Dissipation ⁽¹⁾

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

5.0

I_C

@ T_C= 25⁰C

@ T_C= 100⁰C

300

171

⁰C

P_T

TO-3*

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

(TO-204AA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 1.715 W/⁰C between T_C= +25⁰C and T_C= +200⁰C

0.584

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

I_C= 200 mAdc

2N5683

2N5684

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 30 Vdc

V_CE= 40 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 80 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60 Vdc

5.0

2N5683

2N5684

I_CEO

mAdc

5.0

2N5683

2N5684

I_CEX

5.0

2N5683

2N5684

I_CBO

mAdc

V_CB= 80 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

5.0

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

JAN2N5683 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N5683	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5683	MICROSEMI	类似代替	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5684	MICROSEMI	类似代替	NPN POWER SILICON TRANSISTOR

与JAN2N5683相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N5684	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5685	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5686	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5745	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-3
JAN2N5794	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-78
JAN2N5794U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| LLCC
JAN2N5795	MICROSEMI	获取价格	PNP DUAL SILICON TRANSISTOR
JAN2N5796	MICROSEMI	获取价格	PNP DUAL SILICON TRANSISTOR
JAN2N5796	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SIMILAR
JAN2N5796AU	MICROSEMI	获取价格	暂无描述

与JAN2N5683相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

49
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

67
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

62

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN2N5683

JAN2N5683 技术参数

JAN2N5683 数据手册

JAN2N5683 替代型号

与JAN2N5683相关器件

与JAN2N5683相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN2N5683

JAN2N5683 技术参数

JAN2N5683 数据手册

JAN2N5683 替代型号

与JAN2N5683相关器件

与JAN2N5683相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？