JAN2N5686

更新时间： 2024-11-29 11:21:07

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	54K
描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N5686 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BFM
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	50 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-204AE
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/464
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2 MHz
Base Number Matches：	1

JAN2N5686 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 464

Devices

Qualified Level

JAN

2N5685

2N5686

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N5685 2N5686 Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

5.0

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +100⁰C ⁽¹⁾

300

171

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-55 to +200

T_J_,T

stg

TO-3*

(TO-204AA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 1.715 W/⁰C between T_C= 25⁰C and T_C= 200⁰C

Symbol

Max.

.0584

Unit

⁰C/W

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

I_C= 100 mAdc

2N5685

2N5686

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 30 Vdc

V_CE= 40 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 80 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60 Vdc

500

mAdc

2N5685

2N5686

I_CEO

I_CEX

I_CBO

500

2N5685

2N5686

2.0

2N5685

2N5686

V_CB= 80 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JAN2N5686 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N5686	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5686	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N5686G	ONSEMI	功能相似	High-Current Complementary Silicon Power Transistors

与JAN2N5686相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N5745	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-3
JAN2N5794	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-78
JAN2N5794U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| LLCC
JAN2N5795	MICROSEMI	获取价格	PNP DUAL SILICON TRANSISTOR
JAN2N5796	MICROSEMI	获取价格	PNP DUAL SILICON TRANSISTOR
JAN2N5796	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SIMILAR
JAN2N5796AU	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
JAN2N5796AUC	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
JAN2N5796U	MICROSEMI	获取价格	PNP DUAL SILICON TRANSISTOR
JAN2N5926	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 50A I(C) \| TO-210AE

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