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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BCY | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.29 | 外壳连接： | GATE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏源导通电阻： | 100 Ω | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 7 pF | JEDEC-95代码： | TO-206AA |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/476C |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N5115G | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206A |
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| JAN2N5115UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, CE |
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| JAN2N5116 | MICROSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL J-FET |
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| JAN2N5116G | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206A |
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| JAN2N5116UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, CE |
|
| JAN2N5151 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5151L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5151U3 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5152 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5152L | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
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