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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BCY | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.16 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | GATE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏源导通电阻： | 175 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 7 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-206AA | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/476C | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N5116G | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206A |
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| JAN2N5116UB | MICROSEMI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, CE |
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| JAN2N5151 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5151L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5151U3 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5152 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5152L | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5153 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5153L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5153U3 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
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