Datasheet > JAN2N5154U3

JAN2N5154U3

更新时间： 2023-01-03 07:58:55

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
2页	46K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JAN2N5154U3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-XDSO-N3	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL

JAN2N5154U3 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/544

DEVICES

LEVELS

JAN

JANTX

JANTXV

JANS

2N5152

2N5152L

2N5152U3 2N5154U3

2N5154

2N5154L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

100

5.5

2.0

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation ⁽¹⁾

@ T_A= +25°C

@ T_C= +25°C

1.0

P_T

TO-5

2N5152L, 2N5154L

Operating & Storage Junction Temperature Range

Thermal Resistance, Junction-to Case ⁽¹⁾

T_J, T_stg

R_θJC

-65 to +200

°C

1.7 (U3)

°C/W

Note:

1) See 19500/544 for thermal derating curves.

2) This value applies for P_W≤ 8.3ms, duty cycle ≤ 1%.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

TO-39 (TO-205AD)

2N5152, 2N5154

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100mAdc, I_B= 0

V_(BR)CEO

Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0Vdc, I_C= 0

I_EBO

1.0

µAdc

mAdc

V_EB= 5.5Vdc, I_C= 0

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60Vdc, V_BE= 0

I_CES

1.0

µAdc

mAdc

V_CE= 100Vdc, V_BE= 0

Collector-Emitter Cutoff Current

I_CEO

µAdc

V_CE= 40Vdc, I_B= 0

ON CHARACTERTICS

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 50mAdc, V_CE= 5Vdc

U-3

---

2N5152

2N5154

2N5152

2N5154

2N5152U3, 2N5154U3

h_FE

I_C= 2.5Adc, V_CE= 5Vdc

200

T4-LDS-0039 Rev. 1 (080797)

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

JAN2N5154U3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N5154U3	MICROSEMI	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANTX2N5154U3	MICROSEMI	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANTX2N5154	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER SILICON TRANSISTOR

与JAN2N5154U3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N5157	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 500V V(BR)CEO \| 3.5A I(C) \| TO-3
JAN2N5206E3	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, SCR
JAN2N5237	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5
JAN2N5237S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5VAR
JAN2N5238	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 170V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5
JAN2N5238S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 170V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5VAR
JAN2N5241	APITECH	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
JAN2N526	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-5
JAN2N5302	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-3
JAN2N5303	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-3

与JAN2N5154U3相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

4
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

3
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

3
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN2N5154U3

JAN2N5154U3 技术参数

JAN2N5154U3 数据手册

JAN2N5154U3 替代型号

与JAN2N5154U3相关器件

与JAN2N5154U3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN2N5154U3

JAN2N5154U3 技术参数

JAN2N5154U3 数据手册

JAN2N5154U3 替代型号

与JAN2N5154U3相关器件

与JAN2N5154U3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？