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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.33 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-XDSO-N4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/485H | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 10000 ns | 最大开启时间（吨）： | 1000 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N5416 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5416S | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5416UA | ETC |
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BJT |
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| JAN2N5581 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-46 |
|
| JAN2N5582 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-46 |
|
| JAN2N5660 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5661 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5662 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5663 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5664 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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