5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.61 | 外壳连接： | GATE |
| 配置： | SINGLE | 最大漏源导通电阻： | 150 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 7 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-206AA | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MILITARY STANDARD (USA) |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N5116UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, CE |
|
| JAN2N5151 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5151L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5151U3 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5152 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5152L | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5153 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5153L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5153U3 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5154 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
