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JAN2N5115UB

更新时间： 2024-11-21 20:07:23

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	49K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, CERAMIC PACKAGE-3

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JAN2N5115UB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.2
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏源导通电阻：	100 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	7 pF	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/476C	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JAN2N5115UB 数据手册

TECHNICAL DATA

P-CHANNEL J-FET

Qualified per MIL-PRF-19500/ 476

Devices

Qualified

Level

JAN

JANTX

JANTXV

2N5114

2N5114UB

2N5115

2N5115UB

2N5116

2N5116UB

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C=+25⁰C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Gate-Source Voltage ⁽¹⁾

Drain-Source Voltage ⁽¹⁾

Drain-Gate Voltage

Symbol

V_GS

V_DS

V_DG

I_G

All Devices

Unit

Vdc

mAdc

Gate Current

TO-18*

(TO-206AA)

Power Dissipation

T_A= +25⁰C ⁽²⁾

P_T

0.500

-65 to +200

Storage Temperature Range

T_stg

⁰C

(1) Symmetrical geometry allows operation of those units with source/drain leads interchanged.

(2) Derate linearly 3.0 mW/⁰C for T_A> 25⁰C.

Surface Mount

(UB version)

*See appendix A

for package

outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= +25⁰C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Gate-Source Breakdown Voltage

V_DS= 0, I_G= 1.0 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Units

V_(BR)GSS

Vdc

Drain-Source “On” State Voltage

V_GS= 0 Vdc, I_D= -15 mAdc

V_GS= 0 Vdc, I_D= -7.0 mAdc

V_GS= 0 Vdc, I_D= -3.0 mAdc

Gate Reverse Current

2N5114

2N5115

2N5116

1.3

0.8

0.6

V_DS(on)

Vdc

I_GSS

500

pAdc

V_DS= 0, V_GS= 20 Vdc

Drain Current Cutoff

V_GS= 12 Vdc, V_DS= -15 Vdc

V_GS= 7.0 Vdc, V_DS= -15 Vdc

V_GS= 5.0 Vdc, V_DS= -15 Vdc

2N5114

2N5115

2N5116

-500

pAdc

I_D(off)

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

022802

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N5116	MICROSEMI	获取价格	P-CHANNEL J-FET
JAN2N5116G	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206A
JAN2N5116UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, CE
JAN2N5151	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5151L	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5151U3	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5152	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5152L	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5153	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5153L	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR

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