5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.2 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-205AD |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 10000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 1000 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N3439 | MICROSEMI |
完全替代  |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3439E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N3439E4 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N3439L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
|
| JAN2N3439UA | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JAN2N3440 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
|
| JAN2N3440L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
|
| JAN2N3440UA | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JAN2N3441 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N3442 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N3467 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
|
晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
Galaxy S25系列或全系搭载骁龙8 Elite
三大厂商12层HBM3E进展迅速
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
