5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-5 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.11 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/393E |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 1300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 300 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N5154 | MICROSEMI |
类似代替  |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3419S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-39 |
|
| JAN2N3419U4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
|
| JAN2N3420 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, SMI |
|
| JAN2N3420 | VISHAY |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 P |
|
| JAN2N3420S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | TO-5 |
|
| JAN2N3420U4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
|
| JAN2N3421 | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| JAN2N3421S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | TO-5 |
|
| JAN2N3421U4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
|
| JAN2N3439 | MICROSEMI |
获取价格 |
This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
