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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.07 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 基于收集器的最大容量： | 150 pF | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 1200 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 300 ns | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3419S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-39 |
|
| JAN2N3419U4 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
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| JAN2N3420 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, SMI |
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| JAN2N3420 | VISHAY |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 P |
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| JAN2N3420S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | TO-5 |
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| JAN2N3420U4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
|
| JAN2N3421 | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
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| JAN2N3421S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | TO-5 |
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| JAN2N3421U4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
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| JAN2N3439 | MICROSEMI |
获取价格 |
This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage |
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