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JAN1N6660R

更新时间： 2024-11-05 14:34:07

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
2页	173K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN

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JAN1N6660R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-254AA	包装说明：	S-XSFM-P3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE	应用：	EFFICIENCY
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	最大非重复峰值正向电流：	300 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

JAN1N6660R 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

DUAL SCHOTTKY POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/608

DEVICES

LEVELS

JAN

1N6660

1N6660R

1N6660CCT1 1N6660CAT1 1N6660DT1

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)(Per Diode)

30 Amp / 45 Volts

COMMON CATHODE

COMMON ANODE

SCHOTTKY RECTIFIER

Parameters / Test Conditions

Peak Repetitive Reverse Voltage

Symbol

V_RWM

V_RRM

V_R

Value

Unit

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

Note 1

Average Forward Current, 25°C

I_o

Apk

Peak Surge Forward Current @ t_p= 8.3ms, half

sinewave, I_o= 0; V_RM= 0

I_FSM

300

TO-254

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating Junction Temperature

1.65

°C/W

°C

R_θjc

R_θja

T_j

-65°C to 150

Storage Temperature

T_stg

°C

Note:

• 1

• 2

• 3

1. Derate linearly @ 300mA/°C from T_j= T_c= +100°C to 150°C

1N6660 & 1N6660CCT1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol Min. Max.

Unit

• 1

• 2

• 3

Forward Voltage

I_F= 5A, T_j= 25°C*

I_F= 15A, T_j= 25°C*

I_F= 30A, T_j= 25°C*

I_F= 15A, T_j= -55°C*

0.55

0.75

1.0

1N6660R & 1N6660CAT1

V_F

0.80

Reverse Current

V_R= 45V, T_j= 25°C

V_R= 45V, T_j= 125°C

I_R

1.0

• 1

• 2

• 3

Junction Capacitance

V_R= 5V

1N6660DT1

C_j

2000

f = 1MHz

* Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%

T4-LDS-0015 Rev. 2 (101670)

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与JAN1N6660R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N6660RT1	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA,
JAN1N6660T1	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, TO-254AA,
JAN1N6661	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35,
JAN1N6662	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35,
JAN1N6663	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35,
JAN1N6663US	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, Silicon, DO-35,
JAN1N6664	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1A, 100V V(RRM),
JAN1N6664R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1A, 100V V(RRM),
JAN1N6665R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1A, 150V V(RRM),
JAN1N6666	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM),

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