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JAN1N5616

更新时间: 2024-09-18 23:01:23
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
MILITARY RECTIFIERS

JAN1N5616 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-204
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, A PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:1.69
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向恢复时间:2 µs表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JAN1N5616 数据手册

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