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JAN1N5619US

更新时间: 2024-11-08 13:08:59
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美高森美 - MICROSEMI 二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

JAN1N5619US 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.23
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.6 V
JESD-30 代码:O-LELF-R2最大非重复峰值正向电流:25 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/429J最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向恢复时间:0.25 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子形式:WRAP AROUND
端子位置:ENDBase Number Matches:1

JAN1N5619US 数据手册

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