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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.32 | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/427K | 最大重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 最大反向恢复时间： | 2 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| JAN1N5622EG1 | VISHAY | 暂无描述 |
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| JAN1N5622UL | SENSITRON | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| JAN1N5622US | MICROSEMI | 暂无描述 |
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| JAN1N5622US | SENSITRON | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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| JAN1N5623 | MICROSEMI | MILITARY RECTIFIERS |
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| JAN1N5623 | SENSITRON | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-7, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAG |
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