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| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.25 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.6 V | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 25 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/429J |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 最大反向恢复时间： | 0.25 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5620 | SENSITRON |
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HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER |
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| JAN1N5620 | MICROSEMI |
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MILITARY RECTIFIERS |
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| JAN1N5620 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon |
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| JAN1N5620EG1 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AL |
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| JAN1N5620UL | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| JAN1N5620US | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2 PIN |
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| JAN1N5620US | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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| JAN1N5621 | MICROSEMI |
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MILITARY RECTIFIERS |
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| JAN1N5621 | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-7, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE |
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| JAN1N5621UL | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, MELF-2 |
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