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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS, A PACKAGE-2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 1.78 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500 |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向恢复时间： | 2 µs |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5614 | SENSITRON |
功能相似  |
HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5614UL | SENSITRON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| JAN1N5614US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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| JAN1N5615 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY RECTIFIERS |
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| JAN1N5615 | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-7, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE |
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| JAN1N5615US | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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| JAN1N5615US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PA |
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| JAN1N5616 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER |
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| JAN1N5616 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY RECTIFIERS |
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| JAN1N5616 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon |
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| JAN1N5616EG1 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL |
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