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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.34 |
| 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 0.5 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.15 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/241 | 最大重复峰值反向电压： | 150 V |
| 最大反向恢复时间： | 3 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N3595A-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 125V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PAC |
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| JAN1N3595AUR-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 125V V(RRM), Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS |
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| JAN1N3595R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon, |
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| JAN1N3595UR-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-213AA, GLASS, SIMILAR TO DO-213AA, 2 PIN |
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| JAN1N3595US | SENSITRON |
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Small Signal/Switching Diodes |
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| JAN1N3595US-1 | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 125V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, MEL |
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| JAN1N3595X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon, |
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| JAN1N3600 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-7, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN |
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| JAN1N3611 | MICROSEMI |
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MILITARY RECTIFIERS |
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| JAN1N3611EG1 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, EG1, 2 PIN |
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