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IXTV200N10TS

更新时间： 2024-01-22 22:25:22
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 208K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220SMD, 3 PIN

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IXTV200N10TS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：200 A
最大漏极电流 (ID)：200 A最大漏源导通电阻：0.0055 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：550 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：500 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTV200N10TS 数据手册

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IXTV200N10T  
IXTV200N10TS  
Fig. 13. Resistive Turn-on  
Rise Time vs. Junction Temperature  
Fig. 14. Resistive Turn-on  
Rise Time vs. Drain Current  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
RG = 3.3Ω  
RG = 3.3ꢀ  
VGS = 10V  
VDS = 50V  
VGS = 10V  
VDS = 50V  
TJ = 25ºC  
I D = 50A  
TJ = 125ºC  
I D = 25A  
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50  
ID - Amperes  
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95  
105 115 125  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 16. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Junction Temperature  
Fig. 15. Resistive Turn-on  
Switching Times vs. Gate Resistance  
42  
40  
38  
36  
34  
32  
30  
28  
75  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
85  
80  
75  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
t f  
t
d(off) - - - -  
RG = 3.3Ω, VGS = 10V  
t r  
t
d(on) - - - -  
TJ = 125ºC, VGS = 10V  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
VDS = 50V  
VDS = 50V  
I D = 25A  
I D = 50A  
I D = 25A  
I D = 50A  
60  
40  
20  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95  
105 115 125  
RG - Ohms  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 18. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Gate Resistance  
Fig. 17. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Drain Current  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
80  
75  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
300  
275  
250  
225  
200  
175  
150  
125  
100  
75  
t f  
t
d(off) - - - -  
RG = 3.3Ω, VGS = 10V  
t f  
t
d(off) - - - -  
TJ = 125ºC, VGS = 10V  
TJ = 125ºC  
VDS = 50V  
VDS = 50V  
TJ = 25ºC  
TJ = 25ºC  
I D = 25A  
I D = 50A  
60  
40  
TJ = 125ºC  
20  
0
50  
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50  
ID - Amperes  
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
RG - Ohms  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
IXYS REF: T_200N10T(6V)9-30-08-D  
12345

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