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IXTA3N120HV

更新时间： 2024-11-24 20:45:43

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5页	143K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA3N120HV 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.46	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

IXTA3N120HV 数据手册

High Voltage

Power MOSFET

V_DSS= 1200V

I_D25= 3A

R_DS(on) 4.5

IXTA3N120HV

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-263

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1200

V_DGR

D (Tab)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25C

700

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

Features

200



High Voltage Package

Fast Intrinsic Diode

Avalanche Rated

Molding Epoxies meet UL 94 V-0

Flammability Classification

High Blocking Voltage

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



Weight

2.5

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



High Voltage Power Supplies

Capacitor Discharge Applications



5.0



Pulse Circuits

100 nA

I_DSS

25 A

1 mA

T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

4.5



DS100524B(5/15)

12 3 4 5

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