Datasheet > IXTA3N110

IXTA3N110

更新时间： 2024-11-19 21:54:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
4页	104K
描述
High Voltage Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTA3N110 数据手册

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

High Voltage

IXTA/IXTP3N120

IXTA/IXTP3N110

1200 V 3 A 4.5 Ω

1100 V 3 A 4.0 Ω

Power MOSFETs

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated,Highdv/dt

PreliminaryDataSheet

Symbol

V_DSS

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

T_J= 25°C to 150°C

3N120

3N110

1200

1100

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

3N120

1200

1100

3N110

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

TO-263(IXTA)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

D (TAB)

700

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

V/ns

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

150

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 to +150

International standard packages

Low R_{DS (on)}

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque (TO-220)

300

°C

Rated for unclamped Inductive load

Switching (UIS)

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Weight

TO-220

TO-263

Advantages

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Easy to mount

min.

typ.

max.

Space savings

High power density

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

3N120

3N110

1200

1100

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

2.5

4.5

±100

I_DSS

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Note 1

3N120

3N110

4.5

4.0

Ω

98844A (11/01)

12 3 4

中文翻译

下载PDF

IXTA3N110 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA3N120	IXYS	类似代替	High Voltage Power MOSFETs
IXTA3N120	LITTELFUSE	功能相似	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉

与IXTA3N110相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA3N120	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFETs
IXTA3N120	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTA3N120HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA3N120HV	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTA3N120TRL	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
IXTA3N120-TRR	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA3N150HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA3N150HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA3N150HV-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA3N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET