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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 24 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFZ35N30 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFZ42N20 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXFZ42N20 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFZ520N075T2 | IXYS |
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TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET |
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| IXFZ520N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFZ67N10 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXG50I4500KN | LITTELFUSE |
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NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。 具有正温度系数Vce(sa |
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| IXGA10N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGA10N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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| IXGA10N60AU1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-263AA |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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