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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFZ21N60 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFZ24N50 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFZ35N30 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFZ42N20 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXFZ42N20 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFZ520N075T2 | IXYS |
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TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET |
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| IXFZ520N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFZ67N10 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXG50I4500KN | LITTELFUSE |
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NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。 具有正温度系数Vce(sa |
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| IXGA10N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
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