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IXFX34N80

更新时间： 2024-11-23 22:11:55

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2页	51K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFX34N80 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.57	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	34 A	最大漏极电流 (ID)：	34 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	560 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	136 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFX34N80 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFK 34N80

IXFX 34N80

V_DSS= 800 V

I_D25= 34 A

R_DS(on)= 0.24 W

Single MOSFET Die

Avalanche Rated

Preliminary data sheet

t_rr£ 250 ns

PLUS 247^TM(IXFX)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

800

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

136

TO-264 AA (IXFK)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.9/6 Nm/lb.in.

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

Weight

PLUS 247

TO-264

• Lowpackageinductance

- easy to drive and to protect

• Fastintrinsicrectifier

Applications

• DC-DC converters

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

• ACmotorcontrol

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

800

3.0

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

5.0 V

• Temperatureandlightingcontrols

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±200nA

Advantages

• PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 mA

2 mA

• Space savings

• Highpowerdensity

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

0.24

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98560B(6/99)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFX44N60	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX35N50	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX35N50	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX360N10T	IXYS	获取价格	GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET
IXFX360N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFX360N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFX38N80Q2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
IXFX38N80Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFX400N15X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX40N90P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFX40N90P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:

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