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IXFX35N50

更新时间： 2024-02-08 18:47:18

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力特 - LITTELFUSE		/
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3页	196K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFX35N50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IXFX35N50 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFK33N50

IXFX35N50

33A 160m

35A 150m

500V

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

High dv/dt, Low t_rr

TO-264 (IXFK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

500

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 20

 30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

33N50

35N50

132

140

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

33N50

35N50

Tab

I_A

E_AS

T_C= 25C

2.5

G = Gate

= Drain

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

S = Source

Tab = Drain

416

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features



International Standard Packages

Avalanche Rated

Low Intrinsic Gate Resistance

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247



Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

0.102

-0.206

Max.



BV_DSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

500

Applications

V_DSSTemperature Coefficient

%/K

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

2.0

4.5



DC-DC Converters

Battery Chargers

Synchronous rectification

Switch-Mode and Resonant-Mode



V_GS(th)Temperature Coefficient

%/K



I_GSS

I_DSS

V_GS=  20V, V_DS= 0V

200 nA

200 A



Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

V_DS= 0.8 • V_DSS, V_GS= 0V



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_DSS, Note 1

33N50

35N50

160 m

150 m

DS97517E(9/13)

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