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IXFX360N10T

更新时间： 2024-11-20 11:14:07

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描述
GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

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IXFX360N10T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, PLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	360 A	最大漏极电流 (ID)：	360 A
最大漏源导通电阻：	0.0029 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	900 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFX360N10T 数据手册

Preliminary Technical Information

GigaMOS^TMTrench

HiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 360A

R_DS(on)≤ 2.9mΩ

IXFK360N10T

IXFX360N10T

t_rr

≤ 130ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXFK)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

100

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

External Lead Current Limit

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

360

160

900

I_A

E_AS

T_C= 25°C

100

Tab

P_D

T_C= 25°C

1250

G = Gate

= Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

S = Source

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

^zAvalanche Rated

20..120 /4.5..27

Low R_DS(on)

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 3mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

100

2.5

4.5

Synchronous Recification

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

± 200 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

I_DSS

25 μA

2.5 mA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Notes 1 & 2

2.9 mΩ

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100210A(02/11)

12 3 4 5 6

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IXFX38N80Q2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
IXFX38N80Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
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IXFX420N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
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