5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFT150N20T
IXFT150N20T PDF预览

IXFT150N20T

更新时间： 2023-12-06 20:13:03
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
7页 208K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

阅读下载

获取价格

IXFT150N20T 数据手册

 浏览型号IXFT150N20T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IXFT150N20T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFT150N20T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFT150N20T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFT150N20T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXFT150N20T的Datasheet PDF文件第7页 
IXFT150N20T  
IXFH150N20T  
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time vs.  
Junction Temperature  
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time vs.  
Drain Current  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
RG = 2Ω , VGS = 10V  
DS = 100V  
RG = 2ꢀ , VGS = 10V  
VDS = 100V  
V
TJ = 125ºC  
I D = 75A  
I D = 150A  
TJ = 25ºC  
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95  
105  
115  
125  
70  
80  
90  
100  
110  
120  
130  
140  
150  
TJ - Degrees Centigrade  
ID - Amperes  
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times vs.  
Gate Resistance  
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times vs.  
Junction Temperature  
240  
200  
160  
120  
80  
130  
24  
20  
16  
12  
8
65  
60  
55  
50  
45  
40  
tr  
TJ = 125ºC, VGS = 10V  
DS = 100V  
td(on) - - - -  
tf  
RG = 2ꢀ, VGS = 10V  
DS = 100V  
td(off)  
- - - -  
110  
90  
70  
50  
30  
10  
V
V
I D = 150A  
I D = 75A  
I D = 75A  
I D = 150A  
40  
4
0
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95  
105  
115  
125  
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
TJ - Degrees Centigrade  
RG - Ohms  
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times vs.  
Drain Current  
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times vs.  
Gate Resistance  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
75  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
240  
200  
160  
120  
80  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
t f  
RG = 2ꢀ, VGS = 10V  
DS = 100V  
td(off  
) - - - -  
t f  
td(off) - - - -  
TJ = 125ºC, VGS = 10V  
VDS = 100V  
I D = 150A  
V
TJ = 125ºC  
I D = 75A  
TJ = 25ºC  
40  
0
0
2
4
6
8
10  
RG - Ohms  
12  
14  
16  
18  
70  
80  
90  
100  
110  
120  
130  
140  
150  
ID - Amperes  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

下载PDF

与IXFT150N20T相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IXFT150N25X3HV LITTELFUSE Power Field-Effect Transistor,

获取价格
IXFT150N25X3HV IXYS Power Field-Effect Transistor,

获取价格
IXFT150N30X3HV LITTELFUSE Power Field-Effect Transistor,

获取价格
IXFT15N100 LITTELFUSE 功能与特色: 应用: 优点:

获取价格
IXFT15N100Q IXYS HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

获取价格
IXFT15N100Q3 IXYS HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

获取价格

与IXFT150N20T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证