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IXFT150N20T

更新时间： 2023-12-06 20:13:03

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力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
7页	208K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXFT150N20T 数据手册

IXFT150N20T

IXFH150N20T

Fig. 1. Output Characteristics @ T_J= 25ºC

Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T_J= 25ºC

150

100

350

300

250

200

150

100

V_GS= 10V

150

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

2.2

2.4

V_DS- Volts

Fig. 4. R_DS(on)Normalized to I_D= 75A Value vs.

Junction Temperature

Fig. 3. Output Characteristics @ T_J= 125ºC

150

100

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

V_GS= 10V

I _D= 150A

I _D= 75A

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

-50

-25

100

125

V_DS- Volts

T_J- Degrees Centigrade

Fig. 5. R_DS(on)Normalized to I_D= 75A Value vs.

Drain Current

Fig. 6. Maximum Drain Current vs.

Case Temperature

160

140

120

100

3.0

2.6

2.2

1.8

1.4

1.0

0.6

V_GS= 10V

T_J= 125ºC

T_J= 25ºC

280

120

160

200

240

320

-50

-25

100

125

T_C- Degrees Centigrade

I_D- Amperes

1 234 5 6 7

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