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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ISOPLUS247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 170 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 245 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 245 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1090 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 700 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | NICKEL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFN320N17T2 | IXYS |
类似代替  |
GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN26N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFN26N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN26N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET |
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| IXFN26N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN26N90 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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| IXFN26N90 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN-26N90 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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| IXFN27N120SK | LITTELFUSE |
获取价格 |
工业级单开关SiC MOSFET采用带有4个连接器的UL认证SOT227B封装，提供300 |
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| IXFN27N80 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs |
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| IXFN27N80 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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