Datasheet > IXFA34N65X2

IXFA34N65X2

更新时间： 2024-04-02 21:14:43

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅二极管栅极
页数	文件大小	规格书
6页	236K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。其雪崩能力也增强了器件的强度。此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFA34N65X2 数据手册

IXFA34N65X2

Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T_J= 25^oC

Fig. 1. Output Characteristics @ T_J= 25^oC

= 10V

0.5

1.5

2.5

3.5

V_DS- Volts

Fig. 4. R_DS(on)Normalized to I_D= 17A Value vs.

Junction Temperature

Fig. 3. Output Characteristics @ T_J= 125^oC

3.8

3.4

3.0

2.6

2.2

1.8

1.4

1.0

0.6

0.2

= 10V

= 34A

= 17A

-50

-25

100

125

150

T_J- Degrees Centigrade

V_DS- Volts

Fig. 5. R_DS(on)Normalized to I_D= 17A Value vs.

Drain Current

Fig. 6. Normalized Breakdown & Threshold Voltages

vs. Junction Temperature

4.6

4.2

3.8

3.4

3.0

2.6

2.2

1.8

1.4

1.0

0.6

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

= 10V

T = 125^oC

DSS

T = 25^oC

GS(th)

-60

-40

-20

100

120

140

160

T_J- Degrees Centigrade

I_D- Amperes

1 234 5 6

下载PDF

与IXFA34N65X2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFA34N65X3	LITTELFUSE	这款650V X3级超级结MOSFET采用快速体二极管。这些产品的额定标称电流为34A，	获取价格
IXFA36N20X3	LITTELFUSE	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘	获取价格
IXFA36N30P3	IXYS	Power Field-Effect Transistor	获取价格
IXFA36N30P3	LITTELFUSE	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的	获取价格
IXFA36N60X3	LITTELFUSE	600V X3-Class超级结MOSFET IXFA36N60X3的标称额定电流为36A	获取价格
IXFA38N30X3	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格