是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.71 | 高边驱动器: | NO |
接口集成电路类型: | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER | JESD-30 代码: | R-XSFM-T5 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
标称输出峰值电流: | 30 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大供电电压: | 35 V |
最小供电电压: | 7 V | 标称供电电压: | 18 V |
表面贴装: | NO | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
断开时间: | 0.1 µs | 接通时间: | 0.1 µs |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXDN630MYI | CLARE |
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30-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers | |
IXDN630MYI | LITTELFUSE |
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Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 30A, PSSO5, TO-263, 5 PIN | |
IXDN630YI | CLARE |
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30-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers | |
IXDN630YI | LITTELFUSE |
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暂无描述 | |
IXDN75N120 | IXYS |
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High Voltage IGBT | |
IXDN75N120 | LITTELFUSE |
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D系列IGBT为NPT(非穿通型)器件,适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 | |
IXDN75N120A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B | |
IXDP20N60B | IXYS |
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High Voltage IGBT with optional Diode | |
IXDP20N60B | LITTELFUSE |
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D系列IGBT为NPT(非穿通型)器件,适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 | |
IXDP20N60BD1 | IXYS |
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High Voltage IGBT with optional Diode |