是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP18,.3 | 针数: | 18 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.8 | 模拟集成电路 - 其他类型: | ANALOG CIRCUIT |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T18 | 长度: | 22.606 mm |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 18 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP18,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.94 mm | 子类别: | Other Analog ICs |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXDP631PI | IXYS |
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Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls |
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IXDR30N120 | IXYS |
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High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package |
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IXDR30N120 | LITTELFUSE |
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D系列IGBT为NPT(非穿通型)器件,适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 |
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IXDR30N120D1 | IXYS |
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High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package |
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IXDR30N120D1 | LITTELFUSE |
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D系列IGBT为NPT(非穿通型)器件,适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 |
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IXDR35N60BD1 | IXYS |
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IGBT with optional Diode |
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IXDR35N60BD1 | LITTELFUSE |
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D系列IGBT为NPT(非穿通型)器件,适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗 |
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IXDR502 | IXYS |
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2 Ampere Single Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
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IXDR502D1B | IXYS |
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Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6 |
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IXDR502D1BT/R | IXYS |
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Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6 |
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