Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXDN75N120

IXDN75N120

更新时间： 2024-01-24 02:29:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
4页	75K
描述
High Voltage IGBT

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IXDN75N120 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT-227	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SPEED, UL RECOGNIZED	最大集电极电流 (IC)：	120 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	100 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	630 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	140 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXDN75N120 数据手册

IXDN 75N120 V_CES

I_C25

= 1200 V

= 150 A

High Voltage IGBT

V_{CE(sat) typ}= 2.2 V

Short Circuit SOA Capability

Square RBSOA

miniBLOC, SOT-227 B

E153432

E = Emitter ●,

G = Gate,

C = Collector

E = Emitter ●

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

● Either Emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 20 kW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

150

Features

T_C= 90°C

●

T_C= 90°C, t_p= 1 ms

190

NPT IGBT technology

low saturation voltage

low switching losses

square RBSOA, no latch up

high short circuit capability

positive temperature coefficient for

●

RBSOA

V_GE= ±15 V, T_J= 125°C, R_G= 15 W

Clamped inductive load, L = 30 µH

I_CM= 150

V_CEK< V_CES

●

t_SC

(SCSOA)

V_GE= ±15 V, V_CE= V_CES, T_J= 125°C

R_G= 15 W, non repetitive

µs

●

easy paralleling

P_C

T_C= 25°C

IGBT

660

●

MOS input, voltage controlled

International standard package

miniBLOC

V_ISOL

50/60 Hz; I_ISOL£ 1 mA

2500

T_J

-40 ... +150

°C

T_stg

Advantages

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque (M4)

1.5/13 Nm/lb.in.

●

Space savings

Easy to mount with 2 screws

High power density

●

Weight

Typical Applications

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

●

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninteruptible power supplies (UPS)

●

min. typ. max.

●

V_(BR)CES

V_GE(th)

I_CES

V_GE= 0 V

1200

4.5

●

Switch-mode and resonant-mode

I_C= 3 mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES

6.5

power supplies

T_J= 25°C

T_J= 125°C

4 mA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ± 20 V

I_C= 75 A, V_GE= 15 V

± 500 nA

V_CE(sat)

2.2

2.7

1 - 4

12 3 4

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IXDN75N120 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXSN80N60BD1	IXYS	类似代替	IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability
IXSN62N60U1	IXYS	类似代替	IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability
APT50GF120B2RG	MICROSEMI	功能相似	Power Semiconductors Power Modules

与IXDN75N120相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXDN75N120A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 120A I(C) \| SOT-227B
IXDP20N60B	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with optional Diode
IXDP20N60B	LITTELFUSE	获取价格	D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗
IXDP20N60BD1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with optional Diode
IXDP20N60BD1	LITTELFUSE	获取价格	D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗
IXDP35N60B	IXYS	获取价格	IGBT with optional Diode
IXDP35N60B	LITTELFUSE	获取价格	D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗
IXDP610	IXYS	获取价格	Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610
IXDP610PC	ETC	获取价格	Analog IC
IXDP610PI	IXYS	获取价格	Analog Circuit, PDIP18, SLIM, PLASTIC, DIP-18

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