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IXDP20N60BD1 PDF预览

IXDP20N60BD1

更新时间： 2024-09-24 14:56:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 777K
描述
D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗，同时还具有短路功能。 该D系列产品还提供方形反向偏压安全工作区(RBSOA)，可提高钳位感应负载电流，让

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IXDP20N60BD1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72其他特性：HIGH SPEED
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：32 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：315 ns
标称接通时间 (ton)：55 nsBase Number Matches：1

IXDP20N60BD1 数据手册

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IXDP 20N60B D1  
VCES  
IC25  
VCE(sat) typ = 2.2 V  
= 600 V  
= 32 A  
High Voltage IGBT  
with optional Diode  
High Speed,  
Low Saturation Voltage  
C
E
TO-220 AB  
G
Replacements:  
G
C
E
C (TAB)  
IXYP15N65C3D1 / IXXP12N65B4D1  
G = Gate,  
C = Collector ,  
E = Emitter  
TAB = Collector  
Symbol  
VCES  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
●
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 20 kΩ  
Continuous  
600  
600  
20  
V
V
V
V
A
NPT GBT technology  
loitching losses  
low tairrent  
●
●
●
VCGR  
VGES  
no latch u
hort circuit capability  
ptive temperature coefficient for  
easparalleling  
VGEM  
IC25  
Transient  
30  
TC = 25°C  
32  
●
●
IC90  
TC = 90°C  
20  
Minput, voltage controlled  
ptional ultra fast diode  
International standard package  
ICM  
TC = 90°C, tp =1 ms  
4
RBSOA  
VGE = 15 V, TJ = 125°C, RG = 22 Ω  
Clamped inductive load, L = 30 µH  
ICM =
VCEK < VCE
Advantages  
tSC  
(SCSOA)  
VGE = 15 V, VCE = 600 V, TJ = 125°C  
RG = 22 Ω, non repetitive  
10  
µs  
●
Space savings  
High power density  
●
PC  
TC = 25°C  
IGBT  
Diode  
140  
50  
W
W
TJ  
. +150  
-40 ... +150  
300  
°C  
°C  
°C  
Typical Applications  
Tstg  
●
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
●
●
DC choppers  
Uninteruptible power supplies (UPS)  
●
Md  
Mounting torque  
0.4 - 0.6  
2
Nm  
g
●
Switch-mode and resonant-mode  
power supplies  
Weight  
Symbol  
Co
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
V(BR)CES  
VGE(th)  
ICES  
VGE = 0 V  
600  
3
V
V
IC = 0.4 mA, VCE = VGE  
VCE = VCES  
5
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
0.1 mA  
mA  
0.7  
2.2  
IGES  
VCE = 0 V, VGE  
=
20 V  
500 nA  
VCE(sat)  
IC = 20 A, VGE = 15 V  
2.8  
V
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2019 IXYS All rights reserved  
20190131a  
1 - 4  
1234

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与IXDP20N60BD1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXDP35N60B IXYS

获取价格

 		IGBT with optional Diode
IXDP35N60B LITTELFUSE

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 		D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗
IXDP610 IXYS

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 		Analog IC
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